2011年全球NANDFlash中，全球三星電子(SamsungElectronics)仍是位居全球NANDFlash市場龍頭，市占率高達36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達35.1%，兩者合計掌握70%以上NANDFlash市場；根據市調機構TrendForce最新統計，2011年第1季NANDFlash品牌供應商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達53.63億美元。

　　2011年第1季全球NANDFlash市場變化相當多，最大影響當屬日本311東北強震，對后勢NANDFlash市場和科技產業的供給面都造成多空復雜交錯的影響，以及造成NANDFlash價格短線劇烈波動；再者，2010年12月東芝日本12寸晶圓廠跳電事件，也影響2011年第1季NANDFlash產出，還有3月初蘋果(Apple)iPad2新產品問世后，市場一片好評。

　　在供給端方面，延續之前現象，傳統的快閃記憶卡和優盤需求仍是相當疲弱，由智能型手機(SmartPhone)和平板計算機(Tablet)應用帶動的內嵌式存儲器訂單仍是相當穩定，兩者發展呈現兩極化現象。

　　根據TrendForce統計，2011年第1季全球NANDFlash品牌供應商的位元出貨量成長13%，營收規模達53.63億美元，較上季成長9.9%。

　　以各家NANDFlash大廠2011年第1季排名來看，TrendForce統計，三星營收為19.41億美元，以36.2%市占率穩坐龍頭，東芝營收為18.83億美元，市占率以35.1%排名第二之姿緊追在后，之后為美光(Micron)和海力士(Hynix)的纏斗，美光持續以市占率11.4%穩坐全球第3，營收為6.1億美元，海力士營收則為5.74億美元，市占率以10.7%排名第4，而英特爾(Intel)營收為3.55億美元，市占率為6.6%。

　　三星在2011年第1季持續稱霸NANDFlash市場，雖然傳統記憶卡和優盤需求疲弱，但來自智能型手機和平板計算機等系統廠的訂單卻是加溫，帶動三星第1季的位元出貨量成長20%，但平均售價下跌10%，但營收仍小幅受到韓元升值的影響；受惠OEM訂單持續穩定，三星第2季位元出貨量將可望成長約30%以上。

　　在制程技術上，三星在第2季持續提升27納米制程比重，并將于下半年持續轉進21納米制程，預計可持續降低生產成本；在新產品方面，新的內嵌式存儲器產品和固態硬盤(SSD)將是重點產品。

　　東芝2011年第1季的產出受到2010年12月跳電的影響而減少，主要也是靠智能型手機及平板計算機系統客戶的OEM訂單帶動營運升溫；在制程技術方面，東芝和合作伙伴新帝持續轉進24納米制程，且預計下半年進一步轉進19納米制程，在技術制程轉換上非常積極。

　　再者，東芝和新帝在日本四日市興建新12寸晶圓廠Fab5，預計下半年會貢獻產能，屆時東芝可提升系統客戶的比重。

　　在美光方面，美光不但有OEM系統客戶的訂單，還有自家的快閃記憶卡零售通路品牌Lexar，加上2010年合并恒憶Numonyx帶來嵌入式產品新客戶，在產品消化應用管道上相當多元化。

　　整體來看，美光第1季的位元出貨量成長約20%以上，但平均售價仍是減少，預計第2季位元產出量為10%，至于在價格方面，美光預期能微幅調漲。

　　美光日前也與英特爾合資興建新12寸晶圓廠，也就是新加坡廠，美光在2010年底就獨自啟動新加坡新廠，當時英特爾還未決定是否跟進投資，不過，雙方已于2011年4月宣布將共同投資，美光的持股比重略高，未來也可分得較多產能。

　　海力士2011年第1季的位元出貨量增加約15%，平均售價約是持平，單季營收為5.74億美元，市占率為10.7%，智能型手機及平板計算機同樣是營運成長來源，預估第2季的位元出貨量將成長約30%以上，平均售價小幅下跌5%。

　　在制程技術上，海力士持續轉進26納米制程，下半年則是轉進20納米制程，目的也是強化成本結構和競爭力，同步也開發嵌入式產品及SSD新產品以提高系統產品客戶的銷售比重。

　　英特爾日前決定繼續與美光投資新加坡12寸晶圓廠，為NANDFlash產業打了一劑強心針，英特爾目前產品線主要集中在固態硬盤上，產品線相當齊全；英特爾的25納米制程領先問世，下半年也將轉進20納米制程，下半年新加坡新廠預計也可貢獻產能。