如圖所示為INA125信號和電源的基本連接電路。在噪聲環(huán)境或高阻電源應用時，芯片電源端要用電容濾波，且應盡可能靠近芯片電源腳放置。輸出電壓是以IAREF端標準地為基準的。應注意基準端必須是低阻連接，以確保有高的共模抑制比，如有12Ω串聯(lián)電阻，則共模抑制比將下降約80dB(G=4)。增益G=4 60kΩ／RG，公式中60kΩ是等于INA125內(nèi)部兩個反饋電阻之和。內(nèi)部兩個反饋電阻是經(jīng)過激光校正的，因此外部電阻RG的選用對增益影響就很大，應選用穩(wěn)定性好、溫度漂移小的電阻。當需工作在高增益狀態(tài)時，外部電阻RG的取值很小，這時應注意引線的接觸電阻，如插座接觸是否良好等，引線的接觸電阻直接造成增益誤差和影響的穩(wěn)定性。