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2015年NAND Flash市場供應量增長20% 達810億GB當量

供量超過810億GB當量，較2014年成長20%
產量1ynm TLC規?；慨a，產量增加30%
成本每片Wafer的Flash Die成本下滑20%
價格市場供過于求，閃存產品價格跌幅達35%
轉折2016，48層TLC 256Gb 3D NAND續寫摩爾定律

2015年NAND Flash市場供過于求，并將延續至2016年

2015年NAND Flash的主要成長動力主要來源于市場對eMMC和SSD更大容量的需求，而這一需求，推動了Flash原廠三星、東芝/閃迪、美光、SK海力士等利用先進1ynm工藝加快導入TLC。在原廠技術和產能的驅動下，2015年NAND Flash市場供應量超過810億GB當量，較2014年成長20%；消費類每GB當量NAND Flash銷售價格已下探至0.12美金，跌幅超過40%。而且，這一供過于求的狀況還將持續到2016年上半年，預計下半年市況將有好轉。

eMMC將從高端智能型手機開始向UFS 2.0過渡

2015年eMMC最高跌幅高達40%

隨著Flash原廠TLC技術不斷成熟，且eMMC控制芯片提高ECC的糾錯能力，增強TLC耐用性，TLC eMMC性能已基本能達到MLC eMMC水平，且容量和成本更能滿足智能型手機對64GB和128GB的需求。

UFS 2.0是未來發展趨勢

產品實際應用中，與eMMC5.0相比，UFS2.0連續讀寫速度可提高一倍多，4KB隨機讀寫速度更是提高2倍，如果基于3D NAND的UFS 2.0，將有更出色的速度表現，可更大幅度的提升智能型手機性能。

消費類SSD發展趨勢：TLC和PCIe接口

TLC SSD發展已是大勢所趨

SSD需求正在快速增長，其中消費類市場客戶對價格較為敏感，產品競爭也容易陷入價格戰，TLC SSD更低的成本可大幅提升市場競爭力，因此各廠商爭相推出TLC SSD搶奪市場。究其根源，一方面，原廠積極導入1ynm TLC工藝擴大128Gb規?；慨a，且3D技術從48層開始均采用TLC架構。另一方面，控制芯片廠采用糾錯能力更高的LDPC技術提高TLC耐用度，延長了TLC SSD使用壽命。

SSD接口開始由SATA向PCIe過渡

消費類SSD市場，SATAIII接口基本已實現了市場的普及，隨著產品的發展，SSD接口將由SATAIII向PCIe過渡以實現速度的提升。隨著PCIe接口規范的發展，PCIe Gen3 x1最高傳輸速度達到1GB/s，是SATAIII接口速度的2倍， PCIe Gen3 x4擴展速度更是達到最高4GB/s，這也是推動SSD接口向PCIe發展的最大推動力。

服務器市場對SSD需求將持續擴大

2015年SSD在服務器市場應用進一步提升，未來大數據存儲需求推動下，將超過PC市場成為SSD最大應用市場。

2020年，全球數據量將超過40ZB
2020年，約70%-80%的數據將存儲在云端
中國的大數據建設給服務器提出新的要求
3D NAND和3D XPoint技術大幅提升I/O性能
SSD不會完全取代DRAM和HDD
DRAM、SSD、HDD將互補并存于服務器市場
SSD在行業市場的需求從小容量向大容量轉移

2015年存儲業界投資、并購大事件

日期	大事件	備注
1月	美光與力成投資2.5億美元建封裝廠	美光西安重要封測據點
3月	臺聯電投資62億美元在廈門新建一座12英寸晶圓廠	臺灣晶圓廠
4月	慧榮收購上海寶存信息科技有限公司	達成戰略聯盟
9月	紫光38億美元獲西部數據15%股份	西部數據收購閃迪
10月	紫光投資6億美元取得力成25%股份	力成是存儲器封裝企業
11月	Marvell與江波龍達成策略聯盟	發布SSD產品
11月	同方國芯擬投94億美元（600億元RMB）建存儲廠	提高芯片生產力
11月	英特爾擬35億美元改大連廠為存儲芯片廠	大連廠生產3D xPoint可能性很大
11月	紫光出資8058萬美元與西部數據設立紫光西部數據	在NAND Flash業務上深度合作